Гинзбург В.М. Голография Методы и аппаратура. Страница 278
Для более точного определения концентрации электронов и температуры необходимо определить концентрацию нейтральных частиц. Это можно сделать, используя двухчастотную методику [9]. Однако при исследовании ламп, где Необходимо диффузное освещение и фильтрация некогерентной засветки, двухчастотная методика сопряжена с дополнительными техническими трудностями, а повышение точности определения параметров плазмы при высокой степени ионизации разряда невелико. Для ценки влияния изменения концентрации нейтральных частиц приведем результаты расчета в предположении 70%-ного вытеснения нейтральных частиц [3] (в работе [121 делается вывод, их вытеснение не превышает 30%). В этом случае оказывается: N(6) = 4 • IO18 см-3, Tiо, = 15 200 К.
Нагревание оболочки может также вызвать ошибки в расчетах [13]. Теоретические оценки и опыт экспериментальной работы показывают, что нагревание оболочки несущественно влияет на вид интерференционной картины в начальной стадии разряда ( ~ 200 мкс). Отметим, что при голографической интерферометрии существенно не само изменение оптической толщины оболочки при нагреве, а неравномерность этого изменения по полю интерферограммы. Таким образом, ошибки в количественных оценках на начальных стадиях разряда в основном связаны с отклонением распределений от осевой симметрии.
Значения концентрации электронов, полученные данным методом для квазистационарного разряда (см. рис. 10.1, б), согласуются с результатами, полученными в [3] для аналогичных ламп с помощью трехзеркального интерферометра в предположении равномерного распределения концентрации электронов по сечению лампы.
10.2. Исследование электрического взрыва проволочек
В последнее десятилетие круг явлений, связанных с электрическим взрывом проводников (ВП), привлекает к себе внимание в связи с возможностью моделирования различных взрывных процессов с помощью ВП [14]. Развитие методов голографии открывает новые возможности в изучении быстропротекающих процессов, сопровождающих электрический ВП. Для изучения кинетики ВП важно знать объемное распределение осколков проводника, пространственную картину их скоростей и пространственные характеристики образующейся плаз
